SK海力士采取EUV技术的第四代10纳米级DRAM开始量产
发布时间：2021-11-14 15:57:28 所属栏目：产品 来源：互联网
导读：SK 海力士在其官网宣布，公司的第四代 10 纳米（1a）级工艺的 8Gigabit（Gb） LPDDR4 移动端 DRAM（动态随机存储器）产品已经在今年 7 月初开始量产。 这是 SK 海力士首次采用 EUV 技术进行 DRAM 产品的量产。SK 海力士预计从下半年开始向智能手机厂商供应采
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SK 海力士在其官网宣布，公司的第四代 10 纳米（1a）级工艺的 8Gigabit（Gb） LPDDR4 移动端 DRAM（动态随机存储器）产品已经在今年 7 月初开始量产。 这是 SK 海力士首次采用 EUV 技术进行 DRAM 产品的量产。SK 海力士预计从下半年开始向智能手机厂商供应采用 1a 纳米级技术的移动端 DRAM。 IT之家了解到，Strategy Analytics 机构最新的研究报告显示，2021 年第一季度，全球智能手机存储芯片市场总销售额达到 114 亿美元，同比增长 21%。 其中，三星以以 49% 的市场份额排名第一，SK 海力士排名第二，美光位列第三。 （编辑：92站长网） 【声明】本站内容均来自网络，其相关言论仅代表作者个人观点，不代表本站立场。若无意侵犯到您的权利，请及时与联系站长删除相关内容! |
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